제59회 발명의 날 기념식 포상에서 철탑산업훈장을 수상한 김종환 SK하이닉스 D램개발 담당 부사장(왼쪽)과 국무총리표창을 수상한 김웅래 D램코어디자인 팀장(오른쪽). /사진=SK하이닉스
제59회 발명의 날 기념식 포상에서 철탑산업훈장을 수상한 김종환 SK하이닉스 D램개발 담당 부사장(왼쪽)과 국무총리표창을 수상한 김웅래 D램코어디자인 팀장(오른쪽). /사진=SK하이닉스

[데일리임팩트 황재희 기자] SK하이닉스가 고대역폭메모리(HBM) 등 첨단 반도체 기술 개발에 기여한 공로로 지난 21일 열린 ‘제59회 발명의 날 기념식’에서 정부 포상을 받았다.

SK하이닉스는 김종환 부사장(D램개발 담당)이 철탑산업훈장을, 김웅래 팀장(D램코어디자인)이 국무총리표창을 수상했다고 22일 밝혔다.

먼저 D램 기술 개발을 이끌고 있는 김종환 부사장은 AI 메모리인 HBM 4세대 양산과 5세대 HBM 개발 성공에 기여한 성과를 인정받았다.

김 부사장은 2021년부터 회사의 D램 개발을 총괄하면서 2022년 6월  HBM3 양산에 성공하고 지난해 8월에는 HBM3E 도 개발, SK하이닉스가 AI 메모리 기술 주도권을 선점하는데 크게 역할했다.

또 그는 메모리에 연산 기능을 더한 차세대 지능형 메모리인 프로세싱인메모리(PIM)도 개발했다. 메모리와 다른 장치들 사이에 인터페이스를 하나로 통합해 제품 성능과 효율성을 동시에 높여주는 컴퓨트익스프레스링크(CXL) 메모리를 내놓는데도 기여했다.

국무총리표창을 수상한 김웅래 팀장은 D램 10나노급 미세공정에 도입되는 회로 관련 설계 기술을 개발해 제품 성능 향상과 원가 절감을 이루어낸 공로를 인정받았다.

특히 모바일용 저전력 D램인 LPDDR4와 LPDDR5의 초고속·저전력 동작 기술을 개발하고 핵심 특허를 출원해 국가 지식재산(IP) 확보에 기여한 점을 높이 평가받았다.

김 부사장은 “SK하이닉스가 HBM3와 HBM3E 개발을 통해 글로벌 AI 메모리 시장을 선점하고 대한민국의 위상을 높였듯 차세대 AI 메모리 개발에도 박차를 가해 리더십을 이어 나가도록 노력하겠다”고 말했다.

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