[비즈니스포스트] 미국 마이크론이 일본에 극자외선(EUV) 기술을 활용하는 D램 메모리반도체 공장을 신설한다. 고대역 메모리(HBM) 생산 투자 가능성도 거론된다.
공장 가동은 2027년부터로 예정되어 있으며 일본 정부가 투자금의 상당 부분을 지원한다.
일본 일간공업신문은 28일 “마이크론이 첨단 D램 생산량을 늘리기 위해 2027년부터 히로시마 반도체 공장 가동을 시작하기로 했다”고 보도했다.
마이크론은 2026년 초 히로시마 공장을 착공해 이르면 2027년 말부터 운영에 들어간다는 목표를 두고 있다.
첨단 미세공정 반도체 생산에 쓰이는 EUV 장비 도입도 예정됐다. 해당 공장에서 1-감마 공정 기반의 고부가 D램을 제조하기 위한 목적이다.
이는 일본에 최초로 설립되는 EUV 기반 반도체 공장이다. 대만 TSMC가 향후 증설하는 구마모토 공장에 EUV 장비를 도입할 것으로 예상되지만 마이크론이 이보다 앞서는 셈이다.
마이크론은 당초 2024년 히로시마 공장 가동을 추진하고 있었는데 메모리반도체 업황 부진 등 영향으로 시기가 늦춰졌다.
그러나 일본 정부가 지난해부터 마이크론에 적극적으로 투자를 요청하며 히로시마 공장 건설 프로젝트에 다시 속도가 붙은 것으로 전해졌다.
일간공업신문은 일본 정부가 마이크론에 이미 최대 1920억 엔(약 1조6636억 원)의 보조금 지급을 결정했다고 전했다.
전체 투자 규모는 6천억~8천억 엔 수준으로 논의되고 있는데 이 가운데 상당 부분을 일본 정부 지원금으로 충당하는 셈이다.
대만 경제일보에 따르면 마이크론이 히로시마 공장에서 인공지능(AI) 반도체에 주로 쓰이는 HBM을 생산할 가능성도 거론되고 있다.
경제일보는 “마이크론은 일본 정부의 계속된 요청에 응답해 시설 투자를 결정했다”며 일본 정부의 반도체산업 부흥 정책 성과에 기여하게 될 것이라고 내다봤다. 김용원 기자
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