SK하이닉스 “차세대 HBM 공급, 내년 계획 미리 논의”

김기태 SK하이닉스 부사장이 ‘2024 임원 좌담회’에서 발언하고 있다. /SK하이닉스

SK하이닉스가 내년 차세대 HBM(고대역폭메모리) 계획을 논의 중이라는 입장을 밝혔다. 엔비디아 등 글로벌 고객사들이 신제품 출시 시점을 앞당김에 따라 HBM 제품을 적기에 공급하기 위해서다.

30일 SK하이닉스 뉴스룸에 따르면 김기태 부사장은 최근 SK하이닉스 신임 임원 좌담회에서 “HBM을 비롯해 AI(인공지능) 메모리 기술 우위를 유지하려면 전 공정의 설계·소자·제품 경쟁력 뿐 아니라 후공정의 고단 적층 패키징 기술력도 강화해야 한다”고 말했다.

김 부사장은 “현 시장 상황을 보면 빅테크 고객들이 AI 시장 주도권 확보를 위해 신제품 출시 시점을 앞당기고 있다”며 “우리는 이에 맞춰 차세대 HBM을 적기에 공급하도록 올해에 이어 내년까지 계획을 미리 논의 중”이라고 말했다.

앞서 SK하이닉스는 차세대 HBM 제품 양산 시점을 앞당긴 바 있다. HBM4 16단 제품과 HBM4E 제품의 양산 시점을 2026년으로 1년씩 앞당긴 것이다. 이미 SK하이닉스는 지난 3월 세계 최초로 5세대 HBM(HBM3E) 양산에 성공했다. 6세대인 HBM4의 양산 시점 역시 내년으로 앞당겨 글로벌 투자와 기업 간 협력으로 차세대 기술력을 확보한다는 전략이다.

신임 임원들은 AI 메모리에서 선도적 입지를 다지게 된 배경에 대해 시장이 열리기 전부터 이어온 투자와 연구가 성장의 밑거름이 됐다고 밝혔다. 손호영 부사장은 “HBM의 성공은 고객과의 협력, 내부 부서간 협업 과정에서 열린 방식으로 일했기에 가능했다”며 “앞으로 메모리·시스템, 전·후공정 경계가 허물어지는 이종간 융합을 위한 협업을 준비해야 한다”고 설명했다.

AI 산업의 확장으로 새로운 메모리 시장이 열리는 가운데 SK하이닉스도 차세대 먹거리 발굴에 힘쓰겠다는 각오를 밝혔다. 이재연 부사장은 “기존 메모리 한계를 뛰어넘는 이머징 메모리에 대한 관심이 크다”며 “기존 D램의 고속 성능과 낸드의 고용량 특성을 동시에 갖춘 자기저항메모리(MRAM) 저항변화메모리(RRAM) 등이 주목 받고 있다”고 말했다.